三大芯片巨头竞技2nm（我们在冲刺5nm,落后不多了,仅2代）

而5nm与2nm，相差其实也并不远，只有2代，再加上目前97%以上的芯片，使用5nm及以上的工艺，所以差距其实越来越近了，这是美国最不愿意看到，却是我们期待已久的。

目前全球有两大晶圆厂，已经进入了3nm工艺。

目前我们的战场在5nm，自从华为拿出麒麟9000S后，证明了我们拥有了7nm的能力，那么下一步，就是搞定5nm，这个目标说难不难，说容易也不容易。

intel的目标更加激进，他表示自己要在2024年底，实现1.8nm工艺，也就是台积电、三星们的2nm，采用的也是GAAFET晶体管技术。

与3nm不同，2nm工艺时，会有三家厂商竞技了，分别是台积电、三星、intel。

当然，2nm只是这三家巨头的战场，中国大陆暂时没有参与的资格，只是看看戏罢了，别那么好高骛远。

英特尔表示，自己有可能成为全球第一家进入2nm工艺的厂商。不过台积电却来拆台，表示自己的 3nm，在功率、性能和密度方面可与 Intel 18A 相媲美。

在实现3nm之后，下一个目标是2nm。

一家是台积电，已帮苹果制造3nm的芯片，分别是A17 Pro、M3系列。一家是三星，虽然暂时还没有基于三星3nm工艺的手机芯片，但去年三星就已经量产了，矿机厂商已经用上了。

按照林本坚的说，浸润式光刻机，经过多重曝光后，是能够实现5nm的，所以我们真有进入5nm工艺的基础和能力，并不会太远。

不过外界认为，由于台积电在N2时才使用GAAFET晶体管技术，这也是台积电第一次使用GAAFET晶体管技术，所以进展未必这么顺利，2025年能不能量产，很难讲。

台积电的计划是2025年实现2nm，采用的是GAAFET晶体管技术，目前已经展示了 N2 原型工艺。

三星同样计划在2025年，大规模生产 3nm 或 "SF3" 芯片的公司。由于三星去年的3nm工艺，就使用了GAAFET（环绕栅极）新型晶体管架构，所以大家认为，三星从3nm进入2nm，相对而言，会更加稳妥，已经积累了经验。

而intel这一次也会加入战场，原来英特尔一直在芯片工艺命名上坚持已见，但后来看到落后台积电、三星们越来越远。于是直接将工艺改名，打不过就加入，所以工艺也基本上追上了台积电。