英特尔CEO（美日荷联手打压,中国芯片技术,将落后10年）

他说，美国、荷兰、日本的政策，在10nm到7nm中设了一个底线，中国现有的工具，只能生产14nm，最多到7nm，突破不了这个底线，而台积电、三星、intel的技术，已经从3nm迈向2nm，甚至看向1nm去了……

但这只是表面理论上，接下来会不会这样，就只有让我们拭目以待了，我们也不可能一直原地踏步，所以想必英特尔CEO说的这种情况，肯定不会出现。

因为台积电是在2018年实现7nm的，我们在2023年，中间不就是隔了5年么？

同时日本、荷兰也听从美国的，全面执行了禁令，特别是日本，很多40nm以下的半导体设备，如果要出口到中国来，都要许可证。

对此，不知道大家怎么看？理论上来看，确实是这么一个事情，如果我们不能有效且快速的突破7nm，那么未来落后10年也是很可能的。

所以大家认为，中国大陆和全球顶尖芯片技术，其实相差不过2代，就是7nm到3nm的距离，中间，实际只有5年左右。

而ASML的先进DUV浸润式光刻机许可证，也被吊销了，这对于中国大陆发展先进芯片工艺而言，确实又受到了一定的影响。

中国芯片技术，到底落后全球顶尖技术有多少年？

他认为，随着美国、日本、荷兰的联手，接下来中国芯片产业要追赶全球顶尖水平，会比较困难，因为半导体设备的限制，会阻碍中国半导体制造业的追赶。

去年上半年的时候，大家认为是8-10年左右，因为中国大陆明面上的技术是14nm，而台积电在上半年已经实现了3nm，14nm到3nm，中间相差了10nm、7nm、5nm、3nm这么四代，也就是10年左右。

不过，大家也都清楚，在这颗芯片发布之后，美国又升级了芯片禁令，对AI芯片、半导体设备等的禁运要求更严格了。

也因为如此，在近日的2024年度“达沃斯世界经济论坛”上，英特尔CEO帕特·基辛格 (Pat Gelsinger) 称，在美日荷的联合限制之下，中国与全球顶尖晶圆厂的技术差距为10年！

不过到了去年下半年，情况又不一样了，华为麒麟9000S横空出世，这颗芯片的性能能够媲美高通5nm芯片骁龙888，而从晶体管密度来看，达到了7nm的水准。